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CoolSiC™碳化硅MOSFET技术、器件和应用网络研讨会圆满举行

91810点,由英飞凌和北京晶川联合举办的CoolSiC™碳化硅MOSFET技术、器件和应用网络研讨会正式开始,演讲嘉宾是来自英飞凌工业功率控制事业部应用与系统总监马国伟和北京晶川资深电力电子工程师华伟,研讨会分为嘉宾演讲和在线交流两个部分,深入解析了CoolSiC™的相关技术和应用及发展前景。

英飞凌马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅的发展历程,英飞凌的技术领先优势,以及CoolSiC™ MOSFET在降低开关损耗、提高功率密度、提高生产稳定性等方面的优势性能,能为系统设计的使用提供前所未有的效率和系统灵活性。另外会上还展示了在太阳能、光伏、电动车、电机控制领域的应用案例。

北京晶川电子公司华伟先生介绍了晶川即将推出的移相22KW ZVS全桥DC/DC功率变换器解决方案,该方案完全采用英飞凌碳化硅器件,包括碳化MOSIMZ120R045M1,碳化硅二极管:IDH20G120C5EiceDriver隔离驱动电路1EDI20H12AH,性能十分优越。

此次研讨会给大家提供了一个了解CoolSiC™ MOSFET的学习平台,对于CoolSiC™ MOSFET的技术知识及应用也会有进一步的了解,相信CoolSiC™ MOSFET技术会不断应用到更多的产品中,为企业,为社会实现高效节能,绿色环保。

绿色低碳,节能相伴,晶川致力于绿色节能的产品理念,将结合英飞凌的碳化硅产品,专注于用户需求和系统设计,开发出更有针对性的方案,推出效率更高,成本更低,节能环保的产品方案。