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7.5kW变频器解决方案

技术背景

	采用英飞凌新一代IGBT7单管+驱动IC 实现产品效率和功率密度的提升。
	给客户提供成套的解决方案。

规格及主要技术参数

系统框图

技术优势

	IGBT: IGBT 损耗更低，系统效率更高，带来更高功率输出。功率密度提高，无需重新设计散热器。即使在恶劣的工作条件下，仍具有较高的器件可靠性。易设计，以轻松满足 EMI 要求。
	辅助电源： 1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构，适用于辅助电源。SMD（表面贴装）封装便于直接集成于PCB，能实现自然对流冷却，无需额外的散热器。由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大，隔离工作量减少。降低系统复杂性。高功率密度。